TriQuint увеличит мощность 3G-базовых станций

Компания TriQuint Semiconductor представила новое поколение арсенид-галлиевых (GaAs) транзисторов, способных значительно увеличить мощность 3G-базовых станций, тем самым увеличив и их эффективность.

Компания уже провела тестирование своего первого усилителя HV-HBT. Оно показало 57% увеличение мощности, что превосходит возможности и LDMOS-полупроводников и более дорогих нитрид-галлиевых (GaN) устройств.

"Усилители GSM-систем не требуют линейного режима и их эффективность традиционно выше, чем у аналогичных 3G-устройств. Операторы, развивающие 3G-сети, в последние несколько лет отметили резкое увеличение OPEX-затрат, связанных с электроэнергией, заметил представитель TriQuint Semiconductor Майк Санна (Mike Sanna). «Транзисторы HV-HBT существенно увеличат эффективность усилителей. Например, один из наших ведущих клиентов отметил 10-кратное увеличение эффективности усилителей при использовании наших устройств TGH2932-FL», - говорит он.



это серьёзный аргумент, для слабых БС UMTS